Сибирские ученые предложили способ увеличить скорость флеш-накопителей в 2–3 раза

Пока рынок флеш-памяти в России полностью отсутствует, она производится только за рубежом.

 

Ученые Института физики полупроводников (ИФП) СО РАН рассматривают возможность применения в устройствах для хранения памяти мультиграфена (нескольких слоев высокотехнологичного материала – графена). Флеш-накопители на его основе будут отличать долгое время хранения информации и высокая скорость, сообщил старший научный сотрудник ИФП СО РАН Юрий Новиков.

Принцип действия такой памяти основан на инжекции (впрыскивании) и хранении электрического заряда в запоминающей среде, в данном случае мультиграфене. Необходимыми компонентами являются туннельный и блокирующий слои: первый изготавливается из оксида кремния, второй, как правило, – из диэлектрика. «Так как для флеш-памяти на основе мультиграфена требуется тонкий туннельный слой, то быстродействие повышается в два-три раза. Ко всему прочему мы можем использовать более низкие напряжения перепрограммирования, а большая работа выхода позволяет долго хранить инжектированный заряд», – приводит слова Новикова официальное издание СО РАН «Наука в Сибири».

Как сообщил старший научный сотрудник ИФП СО РАН Владимир Гриценко, в настоящее время рынок флеш-памяти в России полностью отсутствует, она производится только за рубежом. Для строительства необходимого завода в России потребовалось бы от 4 до 5 млрд долларов, поэтому пока исследование носит исключительно фундаментальный характер.

Графен – инновационный материал, открытый в Великобритании выходцами из России Андреем Геймом и Константином Новоселовым, которые получили за это Нобелевскую премию по физике за 2010 год.

 

Источник